Главная > Газовые лазеры
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

3.4.5. Трехчастичное прилипание электрона

Отрицательные ионы в смесях лазеров на двуокиси углерода образуются естественным образом вследствие столкновений приводящих к диссоциативному прилипанию и образованию ионов Кроме того, при работе лазеров с замкнутым циклом в лазерной смеси может возрастать стационарная концентрация молекул что вызывает дополнительное образование отрицательных ионов в трехчастичной реакции . Константы скорости этого процесса электронного прилипания третьего порядка измерены для ряда частиц, играющих роль третьего тела (см. табл. 1). Заметим, что различные стабилизирующие молекулы М весьма по-разному влияют на данный процесс, о чем свидетельствует большой диапазон значений измеренных констант скорости, охватывающий почти три порядка. Этот процесс зависит также от температуры электронов [9]. Согласно экспериментальной работе [52], образование ионов может протекать при атмосферном давлении в последовательных реакциях, имеющих трехчастичный характер и включающих взаимодействие электрона с предварительно образующимися вандерваальсовыми комплексами, такими, как Данные процессы приводят к возрастанию скорости исчезновения электронов и образованию относительно слабо связанных ионов которые затем могут превратиться в более стабильные ионы Дополнительные потери электронов, вызванные прилипанием, увеличивают нагрузку на источник ионизации и могут нарушить устойчивость плазмы разряда [64].

Поскольку активные среды лазеров на галогенидах инертных газов имеют плотности, соответствующие атмосферным давлениям, невысокие температуры и содержат молекулы галогенов, которые сами по себе могут образовывать отрицательные ионы (табл. 3), мы полагаем, что в этих лазерах отрицательные ионы могут образовываться также и за счет трехчастичных реакций прилипания. В гл. 2 рассматриваются многие аспекты реакций прилипания электронов.

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление