Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
14.2.2. Возникновение и характеристики развития ионизационной неустойчивостиОбычно в разряде эксимерных лазеров давление составляет 1 атм или превышает это значение. На рис. 1 приведена схема типичного эксимерного лазера с разрядом, управляемым электронным пучком. Плазма, создаваемая разрядом, имеет степень ионизации в интервале частицы (см. гл. 10 и 11 настоящей книги). Вследствие сильно не равновесной природы разрядной плазмы существует несколько типов неустойчивости [14], относящихся к различным степеням свободы лазерной среды. Анализ этих различных типов неустойчивосп разряда в эксимерных лазерах показывает, что только ионизацион ной неустойчивости свойственны условия возникновения и высока скорость нарастания, которые приводят к разрушению разряда за времена, наблюдаемые экспериментально. Кроме того, скорост) нарастания этой неустойчивости сравнима с общей скоростью ионизации, обусловленной электронным ударом.
Рис. 1. Схематическое представление электроразрядного лазера, управляемого электронным пучком. Обшие характеристики этих устройств рассматривали Брау [6 Эуинг [12] и Догерти [8]. 1 — источник питания разряда (+); 2 — возбужденная среда; 3 — катод разряда; 4 — катод для электронного пучка; 5 — высокое напряжена (—); 6 — проходной изолятор; 7 — анод для электронного пучка и фольга; 8 — анод разряда. Хотя электрические разряды, создающие активную среду экси мерных лазеров больших объемов, по своей природе являются не стационарными, их локальные свойства изменяются за существен но большие временные интервалы по сравнению с характерным) временами столкновительных процессов. При стабильном горени разряда выполняются условия локального квазистационарного со стояния и средняя плотность электронов
где электронов
здесь В приложении А показано, что величина прикладываемого электрического поля, необходимая для поддержания кинетической температуры электронов Т, определяется сохранением энергии при джоулевом нагреве совместно с процессами, связанными с потерями энергии электронов при столкновениях. В условиях разряда, характерных для большинства эксимерных лазеров, вклад энергии электронного пучка в нагрев электронов весьма мал Моделирование разряда эксимерных лазеров [16, 23, 29] показано, что мощность разряда можно с большой эффективностью использовать для создания электронно-возбужденных состояний, из которых затем в процессах тушения этих состояний нейтральными частицами образуются эксимеры. Например, из модельных исследований в случае KrF [16] следует, что, до тех пор пока относительная концентрация метастабильных состояний поддерживается привести к образованию эксимеров KrF с кпд до 35%. Моделирование показало также, что в этих условиях электроны в разряде возникают главным образом вследствие ионизации метастабилей. При этом разряд оказывается существенно менее устойчивым, поскольку скорость образования электронов становится сильно возрастающей функцией электронной плотности. В отсутствие управления соответствующими параметрами разряда возникает ионизационная неустойчивость, которая ведет к образованию дуги или шнурованию разряда, что быстро заканчивается прекращением лазерной генерации [9]. В работах [5, 6, 9, 18] показано, что стационарное состояние, определяемое уравнением (1), будет неустойчивым (т. е. будет разрушаться благодаря росту флуктуаций малой амплитуды) при выполнении следующего условия (см. приложение 1 к настоящей главе);
Если в неравенстве (3) знак «больше» заменить на «меньше», то стационарное состояние разряда, определяемое выражением (1), будет стабильным. Начальная скорость нарастания флуктуаций малой амплитуды, ведущих к неустойчивости, дается выражением (см. приложение 1 к настоящей главе)
Частные производные в (3) и (4) вычисляются при постоянной кинетической температуре электронов. Электрическое поле и джоулев нагрев возмущаются таким образом, что в первый момент развития ионизационной неустойчивости возмущения электронной кинетической температуры остаются малыми по сравнению с возмущениями плотности электронов. Поэтому условие неустойчивости [соотношение (3)] и начальная скорость нарастания возмущений с малой амплитудой [соотношение (4)] зависят в первом приближении лишь от того, как меняется плотность электронов в процессе их образования и гибели. Соотношение (3) показывает, что состояние разряда в чистом виде время флуктуации образуется больше электронов, чем их теряется в процессе рекомбинации. Таким образом, как только электронная плотность начала возрастать, скорость образования электронов увеличивается быстрее, чем скорость их исчезновения, и увеличение электронной плотности уже не сдерживается более процессом гибели электронов. Характерное время роста неустойчивости Обычно в разрядах эксимерных лазеров преобладает один из двух процессов гибели электронов — это диссоциативное прилипание или диссоциативная рекомбинация. В разрядах галогенидов инертных газов (см. гл. 10 настоящей книги) и большинства галогенидов металлов (см. гл. 11 настоящей книги) электроны исчезают благодаря диссоциативному прилипанию, причем
Соответствующая скорость нарастания неустойчивости [см. выражение (4)] записывается в виде
Для разрядов в парах металлов гибель электронов в основном определяется диссоциативной рекомбинацией и
Соответствующая скорость нарастания неустойчивости [выражение (4)] равна
В разрядах, в которых диссоциативная рекомбинация преобладает над диссоциативным прилипанием, неустойчивость возникает при ббльших значениях В равновесной плазме плотности возбужденных состояний подчиняются распределению Больцмана
и являются функциями только электронной температуры. Таким образом, в равновесной и квазиравновесной плазме константа суммарной скорости ионизации [выражение (2)] не зависит от плотности электронов, т. е. мы имеем [выражение (2)] пропорциональна населенностям возбужденных состояний, она увеличивается с ростом плотности электронов, т. е. в общем случае мы имеем
|
1 |
Оглавление
|