Главная > Теория поглощения и испускания света в полупроводниках
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Пред.
След.
Макеты страниц

Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше

Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике

Внутренний квантовый выход генерации.

Иногда его смешивают с квантовым выходом люминесценции. Однако это не только физически разные величины, но между ними нет однозначной связи [608]. Квантовый выход люминесценции определяется только отношением скоростей спонтанной и безызлучательной рекомбинации. Квантовый выход генерации характеризует лазерный прибор в целом, активную среду и резонатор. Если, например, нанести царапины на зеркала резонатора, то не изменится, а может значительно уменьшиться. Величина служит количественной мерой, показывающей, насколько реальный лазер приближается к идеально однородному генерирующему слою, в котором после преодоления порога скорости всех процессов, кроме генерации, остаются постоянными и вся избыточная над порогом энергия накачки превращается в энергию генерируемого излучения, т. е. Неочевидно, должно коррелировать с картиной ближнего поля излучения, что и подтвердилось на опыте [628].

Измерения проводились при температуре жидкого азота и возбуждении генерации импульсами тока продолжительностью 1 мксек и частотой следования 60 гц. Значение находилось

Рис. 110. Ближнее поле лазерных диодов: 1 — спонтанное излучение; 2, 3, 4 — стимулированное излучение; соответственно

из измеренной зависимости внешнего дифференциального квантового выхода генерации от коэффициента полезных потерь излучения в резонаторе. Картина ближнего поля наблюдалась и фотографировалась с помощью инфракрасного микроскопа

При токах ниже порогового ближнее поле спонтанного излучения во всех диодах однородно. С началом генерации в области -перехода возникает одна или несколько генерирующих точек, интенсивность излучения которых заметно превышает интенсивность люминесценции в остальной части области рекомбинации. При небольшом увеличении тока выше порога число генерирующих нитей возрастало. ростом тока свыше количество генерирующих нитей, как правило, оставалось неизменным, увеличивалась только их яркость.

В интервале значений плотности тока в котором изменяется число генерирующих пятен, возрастание мощности генерации происходит быстрее, чем по линейному закону. В дальнейшем устанавливается линейная зависимость.

На рис. 110 в качестве примера приведены типичные картины ближнего поля трех диодов одинаковой геометрии, но с резко отличающимся квантовым выходом генерации при накачке в три порога. У первого диода достаточно ярко генерируют только три нити, находящиеся на значительном удалении друг от друга. Во втором диоде число ярких пятен велико и они расположены достаточно близко. В третьем диоде яркие пятна сливаются в сплошную полосу. Внутренний квантовый выход генерации у этих диодов соответственно равен 0,1; 0,3 и 0,5.

Экспериментальные данные, полученные для других диодов, также подтверждают наличие ярко выраженной корреляции между картиной ближнего поля излучения и величиной

Сущность этой корреляции сводится к следующему: у диодов, изготовленных из одного и того же материала и имеющих одинаковые размеры, чем больше суммарная площадь светящихся точек картины ближнего поля, тем больше квантовый выход генерации. Следовательно, картина ближнего поля может использоваться для экспрессной оценки величины

Categories

1
Оглавление
email@scask.ru