ширину, пределы интегрирования можно расширить, поскольку
быстро убывают при движении от
вверх и от
вниз.
Как будет видно из дальнейшего, уровень Ферми лежит глубоко в запрещенной зоне, поэтому можно воспользоваться классическим приближением распределения Ферми — Дирака:
С другой стороны, в окрестности
плотности состояний на основании (2.21) в расчете на единицу объема можно представить в виде:
где
эффективные массы носителей заряда в зоне проводимости и валентной зоне.
Подставляя (3.7) и (3.8) в (3.6), путем введения новых переменных
интегралы легко свести к табличным. В результате будем иметь:
Здесь введены эффективные плотности состояний в зоне проводимости
и в валентной зоне
причем
С учетом (3.9) и (3.10) уравнение нейтральности принимает
Логарифмируя его, находим
Согласно (3.13), если
уровень Ферми в собственном полупроводнике расположен в середине запрещенной зоны. С ростом температуры он поднимается вверх, поскольку обычно
При обратном неравенстве
второе слагаемое в (3.13) имело бы отрицательный знак и, следовательно, уровень Ферми понижался бы с увеличением температуры.
Если полупроводник находится в таком состоянии, что распределение электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне может быть описано функцией Максвелла — Больцмана, то он называется невырожденным. Если же классическое приближение неприменимо, то полупроводник называется вырожденным. Условием отсутствия вырождения служат неравенства:
Выполнение (3.14) означает, что эти неравенства справедливы для всех энергий зоны проводимости и валентной зоны, а единицей в знаменателе (3.3) можно пренебречь. Таким образом, в невырожденном полупроводнике уровень Ферми находится на расстояниях, больших
от потолка валентной зоны и от дна зоны проводимости.