5.8. Шум типа 1/f в ПТ с p-n-переходом

При комнатных температурах избыточный -шум в хороших малошумящих кремниевых -переходом обычно незначителен. Отсутствие -шума в подобных ПТ отличает их от почти всех других твердотельных приборов. Этот факт, кроме того, естественно приводит к заключению, что -шум связан не с объемными эффектами, а с процессами, имеющими место на поверхности раздела полупроводник — окисел, возможно, из-за флуктуаций в заселенности поверхностных состояний; подобные поверхностные эффекты отсутствуют в ПТ с -переходом, так как канал таких ПТ отделен обедненным слоем, локализованным в объеме данного транзистора,

Удивительно, что ПТ на основе GaAs обладают значительной величиной -шума [57]. Это явление было объяснено ван-дер-Зилом [64], который отметил, что у таких транзисторов ширина затвора много меньше длины технологического канала. Поэтому имеется большая площадь поверхности раздела полупроводник — окисел между истоком и затвором и между затвором и стоком, и в этих областях создается значительная величина избыточного -шума.

При низких температурах (ниже 200 К) спектры шумов кремниевых ПТ с -переходом указывают на наличие нескольких типов генерационно-рекомбинационных процессов, однако компонента -шума отсутствует [22]. Этот факт

находится в согласии с более ранними результатами наблюдений Клаассена и Робинсона [35], однако при температурах выше 200 К, согласно работе [35], имеется компонента, связанная с избыточным -шумом, которая уменьшается с увеличением температуры. Простого объяснения этой температурной зависимости нет.