Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
2.5. Безызлучательная релаксацияПомимо релаксации путем испускания излучения возбужденные частицы могут также испытывать безызлучательную релаксацию. Эта релаксация может осуществляться большим количеством различных способов, причем аналитическое описание соответствующих физических явлений зачастую весьма сложно. Поэтому ограничимся в данном случае обсуждением лишь на качественном уровне. Для начала опишем связанный с нсупругнми столкновениями процесс безызлучательной релаксации, иногда называемый столкновительным опустошением. В газах и жидкостях энергия перехода передается окружающим частицам в форме энергии электронного и колебательного возбуждения или поступательного движения
Этот процесс во многих случаях играет важную роль как механизм накачки, и поэтому мы его подробно рассмотрим в гл. 3. Здесь заметим лишь, что для эффективного протекания процесса разность энергий между двумя переходами между электроном и возбужденной частицей, при которых частица передает свою энергию электрону:
Энергия возбуждения передается электрону в форме кинетической энергии, и этот процесс иногда называют сверхупругим столкновением или столкновением второго рода. Следует отметить, что столкновение типа (2.119) может происходить также и с легким атомом (например, с атомом гелия) вместо электрона. Однако вследствие более высокой массы атома процесс будет действительно эффективным лишь тогда, когда частица В представляет собой молекулу, а ее энергия возбуждения соответствует энергии низколежащих колебательных состояний.
Рис. 2.12, Безызлучательная релаксация частиц В вследствие почти резонансной передачи энергии частицам А. Заметим, наконец, что столкновительное опустошение в газах может также происходить и вследствие столкновений со стенками резервуара. В кристалле преобладающим столкновительным механизмом является столкновение активных ионов с фонолами решетки. Как явствует из нашего обсуждения, механизмы столкновительного опустошения могут иметь самые разнообразные формы. Однако несмотря на это скорость релаксации населенности верхнего уровня можно в общем случае записать в виде
где быть обусловлено либо неупругими, либо упругими столкновениями. Действительно, оба этих типа столкновений вызывают в общем случае скачки фазы падающей электромагнитной волны по отношению к фазе электрического дипольного момента атома. Безызлучательная релаксация не всегда происходит посредством столкновений. В изолированной молекуле релаксация может также происходить (внутримолекулярные процессы). Например, в случае колебательного перехода энергия может передаваться другим колебательным модам молекулы (рис. 2.13) или вызвать диссоциацию молекулы (предиссо-циацию). Энергия возбуждения атомов, если она достаточно велика, может привести к их ионизации (предыониза-ция). В случае внутримолекулярных процессов релаксацию населенности верхнего уровня можно также описать с помощью выражения (2.120). Соответствующее время релаксации Тбезызл может быть очень малым (10-10 с).
Рис. 2.13. Внутримолекулярная безызлучательная релаксация данном колебательной моды в почти резонансную вращательно-колебательную моду той же самой молекулы. Фёрстер [19] впервые описал другой тип безызлучательной релаксации, который, строго говоря, не связан со столкновениями. В этом случае механизмом, ответственным за релаксацию, является взаимодействие между колеблющимся электрическим диполем [см. (2.94)] релаксирующей частицы (донор D) и соответствующим дипольным моментом соседних частиц (акцептор А). Заметим, что радиус этого диполь-дипольного взаимодействия намного больше, чем в случае столкновения. Если расстояние между донором и акцептором равно
где акцептора. Заметим также, что вероятность Особые механизмы безызлучательной релаксации имеют место в полупроводниках. Здесь переход электронов из зоны проводимости и переход дырок из валентной зоны осуществляются за счет электронно-дырочной рекомбинации на глубоких ловушках, т. е. рекомбинации свободных носителей одного типа со связанными носителями противоположного типа, В этом случае энергия взаимодействия обусловлена дальнодействующим электростатическим взаимодействием заряженных частиц и отбор излишней энергии осуществляется одним из следующих двух механизмов: 1) одним или более решеточным фононом; 2) посредством трехчастичного столкновения, при котором энергия передается свободному носителю (оже-рекомбинация). Следует заметить, что при достаточно высоких концентрациях свободных носителей может также происходить и прямая рекомбинация свободных электронов и дырок. Для всех перечисленных выше случаев, за исключением прямой рекомбинации, релаксация носителей описывается экспоненциальным законом. В случае прямой рекомбинации следует ожидать, что вероятность перехода будет пропорциональна концентрации свободных носителей, а это и приводит к неэкспоненциальной релаксации. Наличие как излучательной, так и безызлучательной релаксации, последняя из которых определяется уравнением (2.120), приводит к тому, что населенность верхнего уровня
Отсюда видно, что общее время жизни
где В самом деле, пусть в момент времени
Населенность
и
Заметим, что временная зависимость излучения является экспоненциальной с постоянной времени
Таким образом, измеряя квантовый выход Чтобы вычислить временную зависимость населенности верхнего уровня в случае, когда имеет место механизм фёрстеровского типа, мы для начала перепишем (2.121) в виде
где
Заметим, что для получения этого выражения было использовано соотношение (2.126). Величина ансамбля из
где С — числовой параметр, равный
|
1 |
Оглавление
|