Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике 1. Автоколебаниями называются вынуэденные незатухающие колебания в реальных системах, период и амплитуда которых не зависят от характера внешнего воздействия, а определяются свойствами самой автоколебательной системы. Автоколебания поддерживаются за счет поступления энергии из внешнего источника, причем количество поступающей энергии регулируется самой системой. В отличие от незатухающих собственных колебаний гармонического осциллятора и аналогичных систем, амплитуды которых определяются начальными условиями, амплитуды автоколебаний от начальных условий не завиcяm. Собственные незатухающие колебания относятся к идеализированному типу колебаний, который в реальных системах никогда не реализуется точно, – реальные собственные колебания всегда затухают. Напротив, автоколебания в реальных системах могут продолюаться сколь угодно долго, пока не израсходуется энергия источника, поддерживающего эти колебания. Строгая теория автоколебаний весьма сложна. Это связано с тем, что автоколебания нелинейны, т. е. описываются нелинейными уравнениями. Принцип суперпозиции в этих случаях не имеет места, что затрудняет получение и исследование решений самих уравнений. В реальных условиях в колебательном контуре всегда совершаются колебания, возникающие в результате внешних влияний или тепловых флуктуаций. Обозначим через I Однако ток $i$ мал и им можно пренебречь. Дело в том, что емкость конденсатора $C$ очень велика по сравнению с емкостью между нитью и сеткой лампы. Поэтому емкостное сопротивление конденсатора много меньше сопротивления, оказываемого лампой, присоединенной параллельно конденсатору. В этих условиях основной ток устремляется через конденсатор. Однако, несмотря на свою малость, сеточный ток $i$ играет принципиальную роль, так как он меняет заряд и потенциал сетки. Анодный ток $I_{a}$ можно представить в виде функции сеточного $V_{g}$ и анодного $V_{a}$ напряжений. Так как сетка расположена значительно ближе к катоду, то изменение потенциала сетки значительно сильнее сказывается на силе анодного тока, чем равное изменение потенциала анода. Влиянием изменений анодного напряжения на анодный ток $I_{a}$ можно пренебречь. В этом приближении где $S$ – крутизна сеточной характеристики. При изменении анодного тока в колебательном контуре индуцируется ЭДС где $M$ – коэффициент взаимной индукции между катушкой колебательного контура и катушкой обратной связи. Напряжение на сетке равно напряжению на конденсаторе, т. е. $V_{g}=q / C$, где $q$ – заряд на верхней пластине конденсатора (при положительном обходе по контуру конденсатор проходится сверху вниз). Таким образом, $d V_{g} / d t=\dot{q} / C=$ $=I / C$, и, следовательно, Если $M<0$, то $\mathscr{E}^{\text {инд }}$ и $I$ имеют одинаковые знаки. В этом случае при отсутствии сопротивления колебания в контуре будут нарастать произойдет самовозбуждение колебаний. Если же $M>0$, то под действием электродвижущей силы $\mathscr{E}^{\text {инд }}$ колебания в контуре прекратятся. Пересоединив концы катушки обратной связи или повернув на $180^{\circ}$ саму катушку, можно изменить знак $M$ и таким образом перейти от одного случая к другому. Для получения более точного условия самовозбуждения колебательного контура надо учесть его омическое сопротивление $R$. При наличии электродвижущей силы $\mathscr{E}^{\text {инд }}$ уравнение колебаний в колебательном контуре имеет вид где $L$ – индуктивность колебательного контура. Разделив на $L$ и введя обозначения получим Допустим, что лампа работает на прямолинейном участке сеточной характеристики. Тогда $S$ и $\delta$ можно считать величинами постоянными. В этом случае формально уравнение (133.4) описывает свободные колебания в контуре: где $A$ и $B$ – постоянные, а $\omega^{2}=\omega_{0}^{2}-\delta^{2}$. Однако эти колебания могут не только затухать $(\delta>0)$, но и нарастать $(\delta<0)$. Условие нарастания колебаний $\delta<0$ можно привести к виду Это и есть условие самовозбуждения колебаний. Из него видно, что для самовозбуждения колебаний необходимо выполнение неравенства $M<0$, которое было получено выше для частного случая $R=0$. Для упрощения предположим, что анодный ток $I_{a}$ зависит только от знака сеточного напряжения $V_{g}$. Когда $V_{g}>0$, через лампу идет максимально возможный ток, равный току насыщения $I_{s}$. Когда $V_{g}<$ $<0$, анодный ток $I_{a}$ равен нулю. Соответствующая идеализированная сеточная характеристика представлена на рис. 314 жирной ломаной линией (ср. с рис. 227). В этом случае уравнение (133.7) становится нелинейным. Введенная схематизация, конечно, не годится в точных расчетах. Но она достаточна, чтобы качественно передать основные особенности автоколебаний. На рис. 315 изображена кривая сеточного напряжения $V_{g}$. Под ней приведена ступенчатая кривая $I_{a}(t)$ для анодного тока $I_{a}$. Производная $\dot{I}_{a}$ всюду равна нулю, за исключением отдельных точек, в которых ток $I_{a}$ испытывает скачки. Формально в этих точках производная $\dot{I}_{a}$ обращается в бесконечность. В действительности функция $I_{a}(t)$ всюду непрерывна и дифференцируема. Точки разрыва должны быть заменены малыми интервалами времени $\tau$, в течение которых происходят резкие изменения анодного тока на величину $\Delta I_{a}= \pm I_{s}$, а производная $\dot{I}_{a}$ по абсолютной величине очень велика. Такие изменения вызывают скачки тока $\Delta I$ и в колебательном контуре. Для нахождения $\Delta I$ проинтегрируем выражение (133.7) по одному из интервалов времени $\tau$. Поскольку величины $I$ и $q$ остаются конечными, при таком интегрировании они в пределе не вносят никакого вклада, и мы получаем Скачки $\Delta I$ аналогичны кратковременным толчкам, действующим на колебательную систему. Если $M<0$, то такие толчки усиливают колебания; если $M>0$, то ослабляют. Между двумя последовательными толчками система совершает затухающие свободные колебания. Допустим, что $M<0$. Пусть перед некоторым толчком амплитуда колебаний тока в колебательном контуре равна $I_{0}$. После толчка она получает приращение $|\Delta I|=\left|M \Delta I_{a} / L\right|=\left|M I_{s} / L\right|$ и становится равной $I_{1}=I_{0}+\left|M I_{s} / L\right|$. K следующему толчку колебания приходят с амплитудой где $\gamma=R /(2 L)$, а $T$ – период колебания. Колебания будут нарастать, если $I_{2}>I_{0}$. Амплитуда колебаний установится, когда $I_{2}=I_{0}$. Таким образом, амплитуда установившихся колебаний будет Характер установившихся колебаний (т. е. автоколебаний) представлен на рис. 316. Благодаря наличию скачков и затуханию колебания не (а) гармонические. Допустим, однако, что добротность $Q$ колебательного контура очень велика, т. е. $\gamma T \ll 1$. Тогда скачки тока $I$ станут малозаметными, а автоколебания – практически гармоническими с амплитудой Конечно, в реальных ламповых генераторах, характеристики которых – плавные кривые, никаких резких скачков не возникает, колебания непрерывны, хотя и не совсем синусоидалъны. Для усиления и генерации колебаний применяются полупроводниковые приборы не с двумя (как в выпрямителях), а с тремя и более электродами. Рассмотрим полупроводниковый триод (транзистор), содержащий три электрода. Он представляет собой кристалл германия или кремния, в котором введением донорной и акцепторной примесей созданы три области с чередующимися типами проводимости: электронной и дырочной. Существуют два типа транзисторов. В транзистоpax $n-p-n$-типа (рис. 317 a) крайние области обладают электронной, а средняя (база, или основание) – дырочной проводимостью. В транзи- сторах $p-n-p$-типа (рис. 317 б), наоборот, электронной проводимостью обладает база, а дырочной – крайние области. Кристалл снабжен соответствующими металлическими электродами, с помощью которых транзистор включается в цепь. Контактное поле $\mathbf{E}_{\text {к }}$ в обоих $n-p$-переходах направлено от электронного к дырочному полупроводнику (см. § 108). Направление $\mathbf{E}_{\mathrm{\kappa}}-$ запорное, противоположное направление – пропускное. Включим транзистор в схему согласно рис. $317 a$. Половина, включенная в проходном направлении, называется эмиттером, а включенная в запорном направлении – коллектором. Ширина базы, разделяющей эти половины, всегда мала и измеряется десятками (или даже единицами) микрометров. Электрический ток внутри эмиттера (рис. $317 a$ ) создается главным образом движением электронов, являющихся основными носителями зарлда. Эти электроны проходят через левый $n-p$-переход в область базы и там под действием электрического поля $\mathbf{E}$ движутся по направлению к коллектору. Толщина базы должна быть такова, чтобы значительная часть электронов прошла через нее. Пройдя через правый $p-n$-переход, электроны попадают в коллектор уже в качестве основных носителей заряда. Тем самым они меняют ток в коллекторе. Те же рассуждения относятся и к рис. 317 б (только роль электронов будут выполнять положительные дырки). Таким образом, всякое изменение тока в цепи эмиттера будет вызывать изменение тока и в цепи коллектора. В этом отношении транзистор действует аналогично электронной лампе. Роль катода играет эмиттер, анода – коллектор, сетки – база.
|
1 |
Оглавление
|