Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
1. Автоколебаниями называются вынуэденные незатухающие колебания в реальных системах, период и амплитуда которых не зависят от характера внешнего воздействия, а определяются свойствами самой автоколебательной системы. Автоколебания поддерживаются за счет поступления энергии из внешнего источника, причем количество поступающей энергии регулируется самой системой. В отличие от незатухающих собственных колебаний гармонического осциллятора и аналогичных систем, амплитуды которых определяются начальными условиями, амплитуды автоколебаний от начальных условий не завиcяm. Собственные незатухающие колебания относятся к идеализированному типу колебаний, который в реальных системах никогда не реализуется точно, — реальные собственные колебания всегда затухают. Напротив, автоколебания в реальных системах могут продолюаться сколь угодно долго, пока не израсходуется энергия источника, поддерживающего эти колебания. Строгая теория автоколебаний весьма сложна. Это связано с тем, что автоколебания нелинейны, т. е. описываются нелинейными уравнениями. Принцип суперпозиции в этих случаях не имеет места, что затрудняет получение и исследование решений самих уравнений. В реальных условиях в колебательном контуре всегда совершаются колебания, возникающие в результате внешних влияний или тепловых флуктуаций. Обозначим через I Однако ток $i$ мал и им можно пренебречь. Дело в том, что емкость конденсатора $C$ очень велика по сравнению с емкостью между нитью и сеткой лампы. Поэтому емкостное сопротивление конденсатора много меньше сопротивления, оказываемого лампой, присоединенной параллельно конденсатору. В этих условиях основной ток устремляется через конденсатор. Однако, несмотря на свою малость, сеточный ток $i$ играет принципиальную роль, так как он меняет заряд и потенциал сетки. Анодный ток $I_{a}$ можно представить в виде функции сеточного $V_{g}$ и анодного $V_{a}$ напряжений. Так как сетка расположена значительно ближе к катоду, то изменение потенциала сетки значительно сильнее сказывается на силе анодного тока, чем равное изменение потенциала анода. Влиянием изменений анодного напряжения на анодный ток $I_{a}$ можно пренебречь. В этом приближении где $S$ — крутизна сеточной характеристики. При изменении анодного тока в колебательном контуре индуцируется ЭДС где $M$ — коэффициент взаимной индукции между катушкой колебательного контура и катушкой обратной связи. Напряжение на сетке равно напряжению на конденсаторе, т. е. $V_{g}=q / C$, где $q$ — заряд на верхней пластине конденсатора (при положительном обходе по контуру конденсатор проходится сверху вниз). Таким образом, $d V_{g} / d t=\dot{q} / C=$ $=I / C$, и, следовательно, Если $M<0$, то $\mathscr{E}^{\text {инд }}$ и $I$ имеют одинаковые знаки. В этом случае при отсутствии сопротивления колебания в контуре будут нарастать произойдет самовозбуждение колебаний. Если же $M>0$, то под действием электродвижущей силы $\mathscr{E}^{\text {инд }}$ колебания в контуре прекратятся. Пересоединив концы катушки обратной связи или повернув на $180^{\circ}$ саму катушку, можно изменить знак $M$ и таким образом перейти от одного случая к другому. Для получения более точного условия самовозбуждения колебательного контура надо учесть его омическое сопротивление $R$. При наличии электродвижущей силы $\mathscr{E}^{\text {инд }}$ уравнение колебаний в колебательном контуре имеет вид где $L$ — индуктивность колебательного контура. Разделив на $L$ и введя обозначения получим Допустим, что лампа работает на прямолинейном участке сеточной характеристики. Тогда $S$ и $\delta$ можно считать величинами постоянными. В этом случае формально уравнение (133.4) описывает свободные колебания в контуре: где $A$ и $B$ — постоянные, а $\omega^{2}=\omega_{0}^{2}-\delta^{2}$. Однако эти колебания могут не только затухать $(\delta>0)$, но и нарастать $(\delta<0)$. Условие нарастания колебаний $\delta<0$ можно привести к виду Это и есть условие самовозбуждения колебаний. Из него видно, что для самовозбуждения колебаний необходимо выполнение неравенства $M<0$, которое было получено выше для частного случая $R=0$. Для упрощения предположим, что анодный ток $I_{a}$ зависит только от знака сеточного напряжения $V_{g}$. Когда $V_{g}>0$, через лампу идет максимально возможный ток, равный току насыщения $I_{s}$. Когда $V_{g}<$ $<0$, анодный ток $I_{a}$ равен нулю. Соответствующая идеализированная сеточная характеристика представлена на рис. 314 жирной ломаной линией (ср. с рис. 227). В этом случае уравнение (133.7) становится нелинейным. Введенная схематизация, конечно, не годится в точных расчетах. Но она достаточна, чтобы качественно передать основные особенности автоколебаний. На рис. 315 изображена кривая сеточного напряжения $V_{g}$. Под ней приведена ступенчатая кривая $I_{a}(t)$ для анодного тока $I_{a}$. Производная $\dot{I}_{a}$ всюду равна нулю, за исключением отдельных точек, в которых ток $I_{a}$ испытывает скачки. Формально в этих точках производная $\dot{I}_{a}$ обращается в бесконечность. В действительности функция $I_{a}(t)$ всюду непрерывна и дифференцируема. Точки разрыва должны быть заменены малыми интервалами времени $\tau$, в течение которых происходят резкие изменения анодного тока на величину $\Delta I_{a}= \pm I_{s}$, а производная $\dot{I}_{a}$ по абсолютной величине очень велика. Такие изменения вызывают скачки тока $\Delta I$ и в колебательном контуре. Для нахождения $\Delta I$ проинтегрируем выражение (133.7) по одному из интервалов времени $\tau$. Поскольку величины $I$ и $q$ остаются конечными, при таком интегрировании они в пределе не вносят никакого вклада, и мы получаем Скачки $\Delta I$ аналогичны кратковременным толчкам, действующим на колебательную систему. Если $M<0$, то такие толчки усиливают колебания; если $M>0$, то ослабляют. Между двумя последовательными толчками система совершает затухающие свободные колебания. Допустим, что $M<0$. Пусть перед некоторым толчком амплитуда колебаний тока в колебательном контуре равна $I_{0}$. После толчка она получает приращение $|\Delta I|=\left|M \Delta I_{a} / L\right|=\left|M I_{s} / L\right|$ и становится равной $I_{1}=I_{0}+\left|M I_{s} / L\right|$. K следующему толчку колебания приходят с амплитудой где $\gamma=R /(2 L)$, а $T$ — период колебания. Колебания будут нарастать, если $I_{2}>I_{0}$. Амплитуда колебаний установится, когда $I_{2}=I_{0}$. Таким образом, амплитуда установившихся колебаний будет Характер установившихся колебаний (т. е. автоколебаний) представлен на рис. 316. Благодаря наличию скачков и затуханию колебания не (а) гармонические. Допустим, однако, что добротность $Q$ колебательного контура очень велика, т. е. $\gamma T \ll 1$. Тогда скачки тока $I$ станут малозаметными, а автоколебания — практически гармоническими с амплитудой Конечно, в реальных ламповых генераторах, характеристики которых — плавные кривые, никаких резких скачков не возникает, колебания непрерывны, хотя и не совсем синусоидалъны. Для усиления и генерации колебаний применяются полупроводниковые приборы не с двумя (как в выпрямителях), а с тремя и более электродами. Рассмотрим полупроводниковый триод (транзистор), содержащий три электрода. Он представляет собой кристалл германия или кремния, в котором введением донорной и акцепторной примесей созданы три области с чередующимися типами проводимости: электронной и дырочной. Существуют два типа транзисторов. В транзистоpax $n-p-n$-типа (рис. 317 a) крайние области обладают электронной, а средняя (база, или основание) — дырочной проводимостью. В транзи- сторах $p-n-p$-типа (рис. 317 б), наоборот, электронной проводимостью обладает база, а дырочной — крайние области. Кристалл снабжен соответствующими металлическими электродами, с помощью которых транзистор включается в цепь. Контактное поле $\mathbf{E}_{\text {к }}$ в обоих $n-p$-переходах направлено от электронного к дырочному полупроводнику (см. § 108). Направление $\mathbf{E}_{\mathrm{\kappa}}-$ запорное, противоположное направление — пропускное. Включим транзистор в схему согласно рис. $317 a$. Половина, включенная в проходном направлении, называется эмиттером, а включенная в запорном направлении — коллектором. Ширина базы, разделяющей эти половины, всегда мала и измеряется десятками (или даже единицами) микрометров. Электрический ток внутри эмиттера (рис. $317 a$ ) создается главным образом движением электронов, являющихся основными носителями зарлда. Эти электроны проходят через левый $n-p$-переход в область базы и там под действием электрического поля $\mathbf{E}$ движутся по направлению к коллектору. Толщина базы должна быть такова, чтобы значительная часть электронов прошла через нее. Пройдя через правый $p-n$-переход, электроны попадают в коллектор уже в качестве основных носителей заряда. Тем самым они меняют ток в коллекторе. Те же рассуждения относятся и к рис. 317 б (только роль электронов будут выполнять положительные дырки). Таким образом, всякое изменение тока в цепи эмиттера будет вызывать изменение тока и в цепи коллектора. В этом отношении транзистор действует аналогично электронной лампе. Роль катода играет эмиттер, анода — коллектор, сетки — база.
|
1 |
Оглавление
|