Оптическая накачка полупроводниковым лазером или светодиодом.

В настоящее время развивается метод узкополосной оптической накачки лазера . В качестве источника накачки применяют инжекционный лазер на GaAs или светодиод из . В первом случае накачка осуществляется на длине волны 0,88 мкм (накачка в группу В линий в спектре поглощения на рис. 1.17, а); во втором случае — на длине волны 0,81 мкм (накачка В группу Б линий того же спектра).

Накачивающее излучение вводится в торец активного элемента. Лазер с такой накачкой показан на рис. 1.18 [24]. Здесь 1 — активный элемент (гранат с неодимом), 2 — инжекционный лазер, 3 — диэлектрическое зеркало с коэффициентом отражения

Рис. 1.18

, 4 — диэлектрическое просветляющее покрытие с для мкм, 5 — внешнее сферическое зеркало резонатора, -блок питания инжекционного лазера.

Метод узкополосной оптической накачки в торец активного элемента создает предпосылки для разработки миниатюрных твердотельных лазеров, обладающих относительно низким порогом генерации и достаточно высоким КПД.