Поскольку знак
определяется значением параметра Гинзбурга—Ландау
, то первым отвечают (вблизи
) значения к
, а вторым
.
Рассмотрим массивный цилиндрический сверхпроводник во внешнем продольном магнитном поле
. Если сверхпроводник относится к первому роду, то при увеличении поля он испытывает фазовый переход первого рода, когда поле достигает критического значения
Роль поверхностного натяжения сводится при этом (как и при всяком фазовом переходе первого рода) лишь к затруднению образования первых зародышей новой фазы и тем самым к возможности метастабильного сохранения
-фазы при полях, несколько превышающих
.
Если же сверхпроводник относится ко второму роду, то уже до достижения полем значения
в нем может оказаться термодинамически выгодным возникновение «вкраплений»
-фазы; увеличение объемной энергии компенсируется отрицательной энергией поверхности такого зародыша. Нижнюю границу значений поля, при которых это становится возможным, принято обозначать как
и называть нижним критическим полем. Аналогичным образом, начав с металла в нормальном состоянии при большом внешнем поле, мы придем к некоторому значению
(верхнее критическое поле), за которым термодинамически выгодно возникновение «вкраплений»
-фазы — снова за счет выигрыша в отрицательной энергии границ. Таким образом, в определенном интервале полей,
сверхпроводник находится, как говорят, в смешанном состоянии. Его свойства в этом состоянии постепенно меняются от чисто сверхпроводящего при
до чисто нормального при
в то же время происходит постепенное проникновение в него магнитного поля. Значение же
определяемое лишь соотношением между объемными энергиями
и
-фаз, само по себе в этом случае ничем не замечательно.
Оба критических поля зависят, конечно, от температуры и обращаются в нуль при
Это приводит к фазовой диаграмме для сверхпроводников второго рода, изображенного на рис. 7 вида (о пунктирной кривой на этом рисунке — см. ниже).
Верхнее критическое поле оказывается возможным определить (в рамках теории Гинзбурга—Ландау) даже без предварительного выяснения характера структуры смешанного состояния. Достаточно заметить, что при полях, несколько меньших
, зародыши s-фазы могут иметь лишь малые значения параметра порядка (очевидно, что
при
). Поэтому состояние этих зародышей может быть описано уравнениями Гинзбурга — Ландау, линеаризованными по
Опустив в (45,12) нелинейный член, приходим к уравнению
причем под А можно понимать векторный потенциал однородного поля
при
когда тело находится в нормальном состоянии с полностью проникшим в него внешним полем.
Рис. 7.
Но (47,1) по своей форме есть просто уравнение Шредингера для частицы с массой
и зарядом
в магнитном поле, причем
играет роль уровня энергии; совпадают и граничные условия в обоих задачах:
на бесконечности. Как известно (см. III § 112), минимальное значение энергии частицы, движущейся в однородном магнитном поле, есть
где
(от этого значения начинается непрерывный спектр энергий). Из аналогии между обоими задачами следует поэтому, что описываемые уравнением (47,1) зародыши
-фазы могут существовать только при
так что критическое поле
. С помощью выражений (45,9), (45,17-18) эта формула может быть записана как
(А. А. Абрикосов, 1952).
Решение уравнения (47,1) с граничным условием
поставленным на бесконечности, отвечает образованию зародыша s-фазы в толще образца, вдали от его поверхности. Покажем, что наличие поверхности способствует образованию зародыша, в результате чего они могут возникать в тонком поверхностном слое уже при
(D. Saint-James, P. G. De Gennes, 1963).
Решение уравнения (47,1), описывающее зародыш s-фазы вблизи поверхности тела (которую считаем плоской), должно удовлетворять на ней граничному условию
где
— координата в направлении нормали к поверхности (условие (45,15) при
Для установления нужной квантовомеханической аналогии вспомним, что использованная выше задача о движении частиц в однородном магнитном поле, в свою очередь, эквивалентна задаче о движении в одномерной параболической потенциальной яме
где
-постоянная, отвечающая «центру орбиты» (см. III § 112). Рассмотрим теперь двойную яму, составленную из двух одинаковых параболических ям, расположенных симметрично относительно плоскости
(рис. 8). Основному состоянию частицы в таком поле отвечает волновая функция
не имеющая нулей и четная по
такая функция автоматически удовлетворяет условию
при х = 0. В то же время основной уровень
частицы в двойной яме лежит ниже уровня в одиночной яме; в переносе на задачу о зародышах этим доказывается сделанное выше утверждение об облегчении их образования вблизи поверхности.
Рис. 8.
Численный расчет уровня в двойной яме приводит к результату, что его минимальное (в зависимости от параметра
) значение составляет
Повторив рассуждения, приводящие к формуле (47,2), найдем, что верхний предел полей, в которых возникают поверхностные зародыши
-фазы, лежит при
т. е.
Таким образом, в области полей между
возникает явление поверхностной сверхпроводимости; граница этой области показана на рис. 7 пунктирной линией. Толщина сверхпроводящего слоя у поверхности нормальной фазы — порядка величины
Эту оценку легко получить из той же квантовомеханической аналогии: волновая функция частицы в потенциальной яме (на уровне
) сосредоточена в области
соответствующий размер зародыша получается заменой
на
и (согласно
) совпадает с
).
Все сказанное выше относится к сверхпроводникам второго рода.
Но введенные таким образом критические поля
могут иметь определенный физический смысл и для сверхпроводников первого рода.
Если и лежит в интервале
то
но
. Хотя смешанная фаза в этом случае не возникает, но в интервале полей между
существует поверхностная сверхпроводимость.
Наконец, по смыслу произведенного вывода, значение
(47,2) определяет (при любом k) верхнюю границу полей, в которых возможно образование зародышей
-фазы со сколь угодно малыми
Поэтому в сверхпроводнике первого рода (где
) в полях
термодинамически невыгодная нормальная фаза абсолютно неустойчива. В интервале же
нормальная фаза может существовать как метастабильная: фазовый переход первого рода из n- в
-фазу в этой области может произойти только путем возникновения зародышей
-фазы с конечными значениями
затрудненного положительным поверхностным натяжением на их границе (В. Л. Гинзбург, 1956).
Задача
Определить критическое поле для сверхпроводящего шарика малого радиуса
(В. Л. Гинзбург, 1958).
Решение. В этом случае (как и в тонкой пленке — см. задачу в § 45) разрушение сверхпроводимости происходит путем фазового перехода второго рода. Критическое поле для шарика можно найти как значение, ниже которого
-фаза теряет устойчивость по отношению к образованию зародышей
-фазы. Как и в тексте, это сводится к нахождению наименьшего собственного значения уравнения Шредингера (47,1). При условии
последнее можно искать с помощью теории возмущений по отношению к внешнему полю, причем невозмущенная волновая функция
(зародыш занимает весь объем шарика). Собственное значение определяется тогда просто как среднее значение оператора возмущения
(среднее же значение от оператора
)
при
равно нулю). При этом векторный потенциал однородного поля должен быть выбран в виде
именно при такой калибровке решение
удовлетворяет на поверхности шарика граничному условию (45,15), сводящемуся к требованию
. Произведя усреднение, найдем
Критическое поле определяется (как и в тексте) условием
приводящим к результату
Допустимость использования теории возмущений подтверждается тем, что найденное значение
(при
) при условии
действительно мало по сравнению со следующим собственным значением, которое соответствовало бы уже переменной в объеме шарика волновой функции и имело бы порядок величины