 
Рис. 8.1. Полные сечения процессов фоторождения  
 
Данные взяты  компиляций Fujii et al., 1977 и Menze et al., 1977
 компиляций Fujii et al., 1977 и Menze et al., 1977 
В том же пределе  электрические дипольные моменты систем
 электрические дипольные моменты систем  равны, но имеют противоположные знаки: в этом пределе сечения фоторождения заряженных пионов на пороге были бы равны. Поправка на движение центра масс вызывает зарядовую асимметрию между этими двумя сечениями:
 равны, но имеют противоположные знаки: в этом пределе сечения фоторождения заряженных пионов на пороге были бы равны. Поправка на движение центра масс вызывает зарядовую асимметрию между этими двумя сечениями: 
 
Это отношение подтверждается экспериментально в процессах квазисвободного рождения  и
 и  -мезонов на дейтериевой мишени.
-мезонов на дейтериевой мишени. 
Перейдем теперь к обсуждению характерных свойств полных сечений фоторождения, приведенных на рис. 8.1. Сечение фоторождения нейтрального пиона определяется в основном магнитным дипольным переходом на изобару  . В этом канале
. В этом канале  -резонанс особенно заметен в силу того, что, как мы видели, электрические дипольные переходы подавлены.
-резонанс особенно заметен в силу того, что, как мы видели, электрические дипольные переходы подавлены. 
Сечение фоторождения заряженного пиона также показывает заметный вклад резонанса, но здесь так же важен нерезонансный вклад электрического дипольного перехода, ведущего к  -волновым пионам. В реакции фоторождения возбуждаются также и более высокие резонансы, но, как и в
-волновым пионам. В реакции фоторождения возбуждаются также и более высокие резонансы, но, как и в  -рассеянии, они для нас сейчас не важны.
-рассеянии, они для нас сейчас не важны. 
Магнитное дипольное возбуждение изобары  и электрическое дипольное рождение заряженных пионов — это две яркие черты процесса
 и электрическое дипольное рождение заряженных пионов — это две яркие черты процесса  при низких и промежуточных энергиях. Обратимся теперь к количественному обсуждению соответствующих амплитуд и их структур.
 при низких и промежуточных энергиях. Обратимся теперь к количественному обсуждению соответствующих амплитуд и их структур.