3.2.4. Электрофильное галогенирование
3.2.4.1. Замещение у насыщенной связи С-Н
Электрофильное замещение у насыщенной связи 
, благодаря главным образом работам Ола с сотрудниками [29, 30], является в настоящее время сравнительно хорошо изученным процессом. Прямая электрофильная атака на сх-связь может протекать, по-видимому, через трехцентровое переходное состояние или интермедиат (10), как это показано на схеме (20).
Таблица 3.4. Примеры реакций гомолитического присоединения
Продолжение табл. 3.4.
В этом типе галогенирования трудно описать природу положительно заряженной галогенной частицы [22]. Так, хотя хлорирование метана и высших алканов проходит успешно в темноте и в присутствии катализаторов Фриделя — Крафтса, тем не менее нельзя утверждать, что эти процессы являются полностью ионными. Возможно, что положительный галогенид 
существует в основном триплетном состоянии, и, следовательно, реакции с его участием надо классифицировать как катион-радикальные. Тем не менее для наших целей можно четко разделить процессы галогенирования на две группы: реакции с атомами галогенов и реакции с заряженными частицами.
В дополнение к примерам, приведенным на схеме (21) и в табл. 3.5, к реакциям электрофильного галогенирования следует также отнести и описанное ранее фторирование в присутствии радикальных ингибиторов [19, 20].
