§ 70. Границы блоков.

Представим себе, что из кристалла вырезана полоса конечной толщины в направлении плоскостей возможного скольжения и на вертикали помещен ряд краевых дислокаций на равных расстояниях d (рис. 101). Чтобы создать первую дислокацию, мы должны сделать разрез от точки С, вверх до границы полосы, раздвинуть края разреза на одно междуатомное расстояние и ввести туда слой атомов.

Чтобы создать вторую дислокацию, нужно от точки вверх поместить уже два слоя атомов, и так далее. В результате окажется, что две половины полосы, разделенные вертикальным рядом дислокаций, будут повернуты одна относительно другой на угол, равный отношению .

Кристалл окажется разбитым на два блока, слегка отличающихся ориентировкой кристаллографических плоскостей. В реальных кристаллах всегда существует такая блочная структура, обнаруживаемая методами рентгенографического анализа. Границы блоков являются вертикальными рядами или стенками дислокаций. Причина образования данной структуры состоит в следующем.

Рис. 101.

Рис. 102.

В результате пластической деформации в параллельных плоскостях скольжения кристалла всегда образуется большое количество дислокаций, являющихся относительно свободными, то есть удерживаемыми незначительными препятствиями и разного рода силами сопротивления (рис. 102). В результате теплового движения атомов эти дислокации перемещаются, стремясь сгруппироваться в наиболее устойчивые конфигурации. Такими устойчивыми конфигурациями являются стенки дислокаций. Процесс образования стенок называется полигонизацией. Этот процесс наблюдается, например, при ползучести металлов при высокой температуре (см. гл. XV111).