Главная > Физика дифракции
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Пред.
След.
Макеты страниц

Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше

Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике

ГЛАВА 15. Приложения динамических эффектов в монокристаллах

15.1. Зависимость динамических эффектов от параметров кристалла

Как мы видели из обсуждения динамических эффектов рассеяния в гл. 8—11, интенсивность дифрагированного пучка, получаемого от почти совершенного монокристалла, может сильно зависеть от структурной амплитуды рефлекса, толщины кристалла в направлении пучка, ориентации кристалла по отношению к падающему пучку и формы и величины или частоты повторения отклонений от периодичности кристалла. Вместе с тем не так прямо интенсивность будет зависеть от других условий процесса рассеяния, включающих температуру и наличие поглощения или процессов неупругого рассеяния. Отсюда следует, что наблюдения интенсивностей динамической дифракции можно использовать для измерения с высокой точностью любой из этих величин или эффектов при условии, что другие величины достаточно хорошо контролируются. Недавно был разработан ряд методов, при помощи которых динамические эффекты используются для получения данных, ценных для различных областей науки и техники.

Угловая ширина дифрагированного в толстом кристалле рентгеновского пучка пропорциональна структурной амплитуде и, как правило, порядка нескольких угловых секунд или рад. Следовательно, очень небольшие отклонения в ориентации плоскостей решетки могут вызвать большие изменения интенсивности. Уже много лет известно, что слабые деформации в толстом кристалле, возникающие, например, при наличии температурного градиента, вызванного тем, что вблизи кристалла держали палец, будут изменять дифракционную интенсивность на несколько порядков величины. Методы рентгеновской топографии, развитые Лангом [278], применяются для регистрации полей деформаций, обязанных отдельным дислокациям или агрегатам примесей в почти совершенных кристаллах. Схема используемой аппаратуры изображена на

фиг. 9.8. Ланг [279] составил обзор последних результатов, полученных с помощью этой аппаратуры, а теория контраста изображений изложена в обзоре Отье [8, 9].

Categories

1
Оглавление
email@scask.ru