17.7.2. Расчет диффузного рассеяния
Фишер провел детальный расчет интенсивностей диффузного рассеяния для тонких кристаллов разупорядоченных сплавов 
используя подход, сформулированный Йённесом [153,154 ] и обобщенный в n-волновом методе Каули и Погани 1340]. Рассматривая только диффузное рассеяние первого порядка, примем интенсивность общего диффузного рассеяния равной сумме
интенсивностей диффузного рассеяния, которые получаются от каждого тонкого слоя кристалла в отдельности. Область корреляции атомных положений можно считать малой, так что диффузное рассеяние от отдельных слоев некогерентное и складывают не амплитуды, а интенсивности.
Для слоя толщиной 
на глубине 
в кристалле толщиной 
как было показано на фиг. 12.3, считают, что падающий пучок сначала рассеивается усредненной решеткой в области от 
до 
и в результате образуется набор основных амплитуд пучка 
Каждый из этих пучков затем рассеивается в области толщиной 
давая основные отражения плюс диффузное рассеяние. Диффузное рассеяние определяется плоским сечением 
распределения 
рассеивающей способности, заданного как в выражении (17.19). В последнем слое кристалла, от 
до 
все составляющие диффузного рассеяния подвергаются динамическому взаимодействию через основные брэгговские отражения. Пучок, рассеянный диффузно в направлении 
например, взаимодействует со всеми пучками 
где 
индексы отражений усредненной решетки. Это дает интенсивность диффузного рассеяния на слое в положении 
которую затем интегрируют по 
от 
до 
и получают полную интенсивность диффузного рассеяния.
Результаты таких расчетов для двумерных дифракционных картин представляют значительный интерес. Похоже на то, что в общем отношение интенсивностей динамического и кинематического рассеяния для чисто диффузного рассеяния при наличии ближнего порядка можно представлять плавно изменяющейся функцией, возрастающей с расстоянием от начала координат. В связи с этим ожидается, что динамические эффекты не будут влиять на положение и форму максимумов диффузного рассеяния (за исключением случая почти совершенного кристалла, когда при прохождении через максимум появляется сильная кикучи-линия), но относительные интенсивности при переходе от одного участка электронограммы к другому в целом изменятся.
Кроме того, расчеты показали, что если смещение пиков ближнего порядка, связанное с размерами атомов, внесет вклад в рассеяние отдельных слоев, то такое смещение может быть скомпенсировано почти полностью при наличии сильного двумерного динамического рассеяния. Этот результат согласуется с умозрительным, основанным на грубых соображениях заключением Каули [85, 86], а именно: сильное динамическое взаимодействие может устранить вклады в интенсивности диффузного рассеяния, обусловленные смещением атомов, но не повлияет на вклады в интенсивность диффузного рассеяния, обязанные перестановке, или изменениям рассеивающей способности атомов. Это также согласуется с экспериментальными наблюдениями. Например, фиг. 17.3 показывает распределение интенсивностей вдоль прямой 
в обратном
Фиг. 17.3. Интенсивности диффузного рассеяния, измеренные вдоль линии 
обратного пространства для разупорядоченного кристалла 
а — рентгеновские измерения, показывающие смещение пика 300 диффузного рассеяния, связанное с влиянием размера атомов (согласно работе Бэттермана 
электронографические измерения, не дающие смещений для пика 300 (согласно работе Ватанабе и Фишера 
пространстве для разупорядоченной структуры 
полученное методом дифракции рентгеновских лучей [12] и электронографически [389]. Смещение пика диффузного рассеяния, обусловленного ближним порядком, за счет влияния размеров атомов при дифракции рентгеновских лучей велико, но отсутствует в случае дифракции электронов. В то же время если при электронографических наблюдениях кристалл наклонить так, чтобы исключить сильные динамические взаимодействия для отдельных диффузных пиков, то смещение этих пиков, связанное с влиянием размеров атомов, станет заметным.
