В основе действия Б. лежит взаимодействие ортогональных магн. потоков в общих участках магнитопровода. Ферритовая зона вокруг одного из отверстий, напр., верхнего (рис., а), используется для запоминания информации. Через это отверстие проходит проводник 1, по которому подаются двухполярные токи записи. Величина тока записи выбирается достаточной для полного перемагничивания зоны вокруг отверстия. Магн. потоки при записи единицы и нуля имеют противоположные направления. Проводник 1 используется также в качестве выходной обмотки.
Биакс: а — запоминающий; б — логический.
Под воздействием однополярных токов опроса, проходящих по проводнику 2, изменяется распределение магн. потоков в перемычке между отверстиями. При этом поток опроса увеличивается, а поток записи уменьшается, в результате чего в проводнике 1 индуцируется эдс считывания. Амплитуда сигнала считывания обычно составляет единицы мв. После прекращения тока опроса первоначальное распределение потоков восстанавливается, то есть записанная информация при опросе не разрушается.
Б. применяют в долговременных запоминающих устройствах с быстрой сменой информации и в буферных ЗУ с неразрушающим считыванием информации, где допускается сравнительно медленная запись и требуется большое быстродействие при считывании. Частота обращения при записи в ЗУ на Б. составляет 200 — 300 кгц, а при считывании 
- 5 мгц. Б. используются также для выполнения логич. ф-ций. В логич. Б. (рис., б) отсутствует перемычка между отверстиями. Общим участком магнитопровода для взаимодействующих ортогональных магн. потоков являются площадки I, II, III, IV. Быстродействие Б.-транзисторных логич. элементов в 2—3 раза выше быстродействия аналогичных феррит-транзисторных схем.
Лит.: Бардиж В. В. Магнитные элементы цифровых вычислительных машин. М., 1967 [библиогр. с. 438—451]. В. М. Норсунский.
