ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ
— элемент автоматических и вычислительных устройств, принимающий различные состояния, характеризуемые значениями величин, отображающих информацию, и сохраняющий эти состояния определенное время для последующего использования в процессе переработки информации.
В соответствии с представляемой формой информации 3. э. могут быть аналоговыми и цифровыми. Аналоговый 3. э. принимает произвольное состояние в определенном диапазоне запоминаемых величин, напр., напряжение на обкладках конденсатора, остаточная магн. индукция магн. материала и пр. Цифровые 3. э. принимают фиксированное число состояний, каждое из которых ставится в соответствие определенной цифре. В вычислительной технике наиболее распространены элементы с двумя устойчивыми состояниями для представления разряда двоичного числа — бита. 3. э. применяют преимущественно для построения логич. цепей и регистров как составных частей процессоров машины (триггер) и построения запоминающих устройств (ЗУ).
По физ. структуре 3. э. для ЗУ могут быть дискретными или входить в состав запоминающих сред. Дискретные 3. э. представляют собой автономные физ. единицы (криотрон, трансфлюксор), которые конструктивно могут быть объединены в ячейки запоминающего устройства или матрицу запоминающую или изготовлены как составная часть матрицы методами групповой технологии (матрица ферритовая многоотверстная, тонкопленочная матрица). Запоминающие среды отличаются тем, что все их участки имеют равноценные свойства. В качестве 3. э. служат участки локализованные с помощью средств считывания — записи в пространстве (ленты магнитные, цилиндрические тонкие магн. пленки) или в пространстве и времени (магнитострикцион-ные, акустические ЗУ).
По устойчивости хранения информации различают 3. э. устойчивые, т. е. сохраняющие информацию произвольное время в процессе нормальной эксплуатации (феррит с прямоугольной петлей гистерезиса, сегнетоэлектрик) и неустойчивые, с самопроизвольным стиранием информации (конденсаторные ЗУ, ЗУ на электроннолучевых трубках). В последнем случае информацию надо периодически восстанавливать. Наиболее распространены устойчивые 3. э. Среди этих элементов различают 3. э., сохраняющие записанную информацию при отключении питания (магнитные элементы) и не сохраняющие ее — триггер, туннельный диод полупроводниковый. Особую группу представляют собой 3. э. со считыванием без разрушения информации, в которых состояние 3. э. не изменяется при многократном считывании. Часть 3. э. этой группы допускает смену информации в процессе работы (биакс, трансфлюксор, криотрон, диски магнитные, магн. ленты и пр.); их широко применяют для построения адресных ЗУ и запоминающих устройств ассоциативных. Другая часть этой I группы 3. э. допускает однократную запись информации, которая, как правило, выполняется во время изготовления накопителя установкой элементов связи в запоминающую матрицу (диодных, резистивных, индуктивных), засвечиванием или перфорацией определенных участков носителя (оптические ЗУ, перфорируемые носители) и др. способами. Однажды изготовленный набор таких 3. э. далее служит только для считывания с него информации и широко применяется в долговременных запоминающих устройствах.
Для построения запоминающих устр-в используются 3. э. с различными принципами работы (от электромеханических и пневматических до электромагнитных и оптических). Осц. направлениями развития 3. э. являются повышение скоростей записи и считывания информации и улучшение технологичности изготовления 3. э. в условиях массового производства.
В вычисл. машинах чаще всего применяют магнитные 3. э. Так, большинство внешних ЗУ выполнено на носителях с магнитным покрытием (барабаны магнитные, магн. диски и ленты). При изготовлении быстродействующих оперативных запоминающих устройств используют ферритовые 3. э. (ферритовые сердечники с внеш. диаметром 0,3-2 мм и временем переключения 0,2-0,4 мксек). Для повышения скорости работы ЗУ применяют 3. э. на цилиндрических и плоских тонких магн. пленках с временем переключения от единиц до десятков наносекунд. Повышение скорости, плотности записи информации и улучшение технологичности производства ЗУ достигается применением полупроводниковых матриц в интегральном исполнении и оптических ЗУ с использованием лазерного луча. Ф. Я. Зыков.
