ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО АДРЕСНОЕ
— запоминающее устройство, в котором запоминающие ячейки или группы их имеют определенный машинный номер (адрес), соответствующий их расположению в запоминающей среде, а обращение к определенному участку этой среды производится в соответствии с кодом его адреса. При адресном обращении код адреса в точности указывает временно-пространственные координаты той частя запоминающей среды, в которой находится информация с данным адресом (или в которую нужно ее записать).
Отличительной особенностью 3. у. а. является наличие в них блока преобразования кода адреса в сигналы выборки. Этот блок выполняется по-разному в зависимости от типа
накопителя. Если носитель информации перемещается относительно средств считывания или перемещается информация относительно носителя, то 3. у. а. называется циклическим, или 3. у. а. с последовательной выборкой. ЗУ с дискретными запоминающими элементами, доступ к которым осуществляется с помощью т. н. линий выборки, наз. запоминающими устройствами с произвольным обращением. В ЗУ с последовательной выборкой записанная в накопитель информация сопровождается особой меткой — маркером (накопитель на магнитном барабане) или своим номером (накопитель на магнитной ленте). Момент выборки информации определяется совпадением числового значения кода адреса с номером, сопровождающим информацию, перемещающуюся относительно средств считывания, или равенством его значению числа, являющегося результатом суммирования маркерных импульсов. В ЗУ с произвольным обращением код адреса преобразовывается в сигналы выборки в определенных линиях выборки, называемых адресными, с помощью дешифраторов и формирующих устройств. Т. о., адресные линии определяют физический адрес запоминающей ячейки, предназначенной для хранения определенного слова. Для записи кода слова в запоминающую ячейку используют разрядные линии, объединяющие элементы накопителя, относящиеся к одному разряду. По разрядным линиям подаются сигналы, соответствующие записываемому коду. Они же служат и для вывода информации. С целью сокращения оборудования линии выборки проводят в нескольких измерениях — по нескольким координатам. Соответствующие линии по каждой координате возбуждаются согласно заданному коду, а выбираемые запоминающие элементы определяются совпадением возбужденных линий.
Многокоординатный принцип поиска базируется на использовании логических елементов совпадения на несколько входов с определенными пороговыми свойствами. При построении последней ступени дешифратора используются свойства самих запоминающих элементов, а также выходных устройств в запоминающем устройстве выполнять логические функции. Технические трудности построения многовходовых запоминающих элементов приводят к ограничению числа используемых координат выборки, поэтому чаще всего строятся двух- и трехкоординатные системы выборки. При считывании информации запоминающие элементы могут сохранять свое состояние, установленное в результате записи. Это ЗУ с неразрушающим считыванием. Если при считывании запоминающие элементы свое состояние не сохраняют, а устанавливаются в некоторое исходное состояние, то такое ЗУ называется ЗУ с разрушающим считыванием. Именно запоминающие элементы в первую очередь определяют технические характеристики ЗУ. Поэтому в названии ЗУ обычно содержится информация об используемых запоминающих элементах: накопитель на магнитной ленте, на магнитном барабане, дисковое ЗУ, ЗУ на ферритах, ЗУ на тонких пленках и т. д. Чаще всего в 3. у. а. используются сравнительно простые запоминающие элементы с разрушающим считыванием.
В ЗУ какого-либо одного типа, как правило, не удается получать характеристики, удовлетворяющие всем требованиям, предъявляемым к таким устройствам при использовании их в системах преобразования дискретной информации. Напр., повышение быстродействия ЗУ возможно только при определенном снижении его емкости. Поэтому в большинстве случаев ЗУ в ЦВМ образуют некоторую иерархическую структуру, на верхних ступенях которой находятся ЗУ с высоким быстродействием и сравнительно малой емкостью, на нижних — медленнодействующие ЗУ большой емкости. В зависимости от класса ЦВМ таких уровней бывает 2—4, а в вычислительных системах их число достигает 6—7.
Лит.: Гутенмахер Л. И. Электронные информационно-логические машины. М., 1962 [библиогр. с. 198]; Крайзмер Л. П. Быстродействующие ферромагнитные запоминающие устройства. М.- Л., 1964 [библиогр. с. 349—371]. Ф. Н. Зыков.
