МАТРИЦА ФЕРРИТОВАЯ МНОГООТВЕРСТНАЯ

— массив запоминающих элементов, образующихся в окрестности отверстий в пластинке ферромагнетика с прямоугольной петлей гистерезиса. Работа запоминающего элемента в М. ф. м. основана на свойстве ферромагнетика устойчиво сохранять остаточную намагниченность и изменять ее под действием внешнего магн. поля, создаваемого электр. током в проводниках, проходящих через отверстия (рис.).

Конструктивно М. ф. м. выполняются в виде монолитной пластины или собираются из т. н. числовых линеек, хранящих одно полноразрядное число. Один из селектирующих проводов матрицы с целью упрощения монтажа накопителя наносится обычно печатным способом. Запоминающие устройства (ЗУ) на М. ф. м. строятся, как правило, по системе с непосредственной выборкой, а сами матрицы выполняются с использованием двухотверстных элементов. Для коммутации адресных управляющих токов используются магнитные или магнито-диодные коммутаторы, основой которых также яцляются многоотверстные пластины, но несколько большей толщины и с большими отверстиями.

Матрица ферритовая многоотверстная: а-в виде пластины; б — в виде числовых линеек

Благодаря возможности изготовления отверстий малого диаметра (0,16 мм и меньше) накопители на М. ф. м. отличаются высокой плотностью размещения запоминающих элементов. Для управления ими требуются сравнительно малые токи и мощности, что позволяет использовать микроэлектронные схемы управления. По основным

параметрам ЗУ на М. ф. м. относятся к быстродействующим оперативным запоминающим устройствам малой емкости (цикл обращения порядка 0,5-2 мксек, емкость — несколько сот чисел). Используются преимущественно в специализированных вычислительных машинах.

Н. К. Бабенко.