§ 15.26. ВАХ управляемого нелинейного конденсатора по первым гармоникам.

Кулон-вольтную характеристику нелинейного конденсатора приближенно можно описать гиперболическим синусом:

Пусть заряд

где — постоянная составляющая заряда; — амплитуда первой гармоники заряда.

При этом напряжение на конденсаторе имеет постоянную составляющую а также первую и высшие гармоники. Формулы (15.12) — (15.15) можно распространить на нелинейный конденсатор, если заменить на на на на . В соответствии с этим постоянная составляющая напряжения на конденсаторе

(15.40)

Первая гармоника напряжения

Ток через конденсатор равен Следовательно, первая гармоника тока через него

Ее амплитуда а действующее значение в раз меньше:

(15.41)

Под ВАХ управляемого нелинейного конденсатора по первым гармоникам будем понимать зависимость действующего значения первой гармоники тока через конденсатор от действующего значения первой гармоники напряжения при параметре

На основании записанного соответствия между и т. д. можно утверждать, что семейство кривых при параметре полностью повторяет семейство кривых при параметре изображенное на рис. 15.15, б.

Для перехода от семейства кривых к семейству ВАХ управляемого нелинейного конденсатора по первым гармоникам следует учесть формулу (15.41) и то, что действующее значение первой гармоники напряжения на конденсаторе

Следовательно, для перехода от семейства кривых при параметре к семейству кривых при параметре необходимо масштаб по оси ординат изменить в раз, по оси абсцисс — в раз параметр — в раз. Подобно тому как для нелинейной индуктивной катушки вводят понятие индуктивного сопротивления по первой гармонике (см. § 15.25), для нелинейного конденсатора вводят понятие емкостного сопротивления по первой гармонике: где — действующее значение первой гармоники напряжения на конденсаторе; — действующее значение первой гармоники тока через нелинейный конденсатор; — функция

Рассмотрим элементы теории транзисторов и применение последних в электрических цепях. В настоящее время применяют транзисторы двух типов: биполярные и полевые. Физические основы работы их различны. Сначала обсудим вопросы, относящиеся к биполярным транзисторам, а затем (см. § 15.35 — 15.37) — к полевым.