§ 15.30. ВАХ биполярного транзистора.

Свойства каждого транзистора определяются двумя основными семействами его ВАХ. Первое семейство характеристик — зависимость тока выходной цепи от напряжения между электродами транзистора, включенными в выходную цепь, при каком-либо из остальных токов транзистора, взятом в качестве параметра. В качестве параметра может быть взята и любая другая величина, например напряжение между электродами транзистора, включенными в цепь управления. Это семейство описывает свойства транзистора по отношению к выходной цепи. Второе семейство характеристик — зависимость тока входной цепи (цепи управления) от напряжения между электродами транзистора, включенными во входную цепь, при напряжении между электродами, включенными в выходную цепь (или при токе выходной цепи), взятом в качестве параметра. Это семейство характеристик описывает свойства транзистора по отношению к цепи управления.

На рис. 15.21, а качественно изображено семейство выходных характеристик при параметре для схемы с общим эмиттером (см. рис. 15.20, а). Правее вертикальной пунктирной прямой А—А кривые начинают круто подниматься. Это свидетельствуете Том, что в данной зоне может произойти пробой транзистора. Поэтому в зоне правее прямой А — А работать нельзя.

Расположенная в третьем квадранте кривая ОВ иллюстрирует потерю управляемости транзистора при изменении полярности ЭДС в выходной цепи.

При протекании тока по транзистору он нагревается выделяющейся в нем теплотой. Каждый транзистор в зависимости от размеров и условий охлаждения может отдавать в окружающее пространство определенное количество теплоты. Допустимое количество теплоты, выделяющейся в транзисторе, характеризуется мощностью рассеяния (дается в каталогах). На рис. 15.21, а пунктиром нанесена гипербола Транзистор не перегревается в условиях длительного режима в том случае, если рабочая точка находится внутри заштрихованной области (кратковременно можно работать и в области, находящейся выше пунктирной кривой). На рис. 15.21, б качественно изображено семейство входных характеристик транзистора при параметре в схеме с общим эмиттером (см. рис. 15.20, б).

Важно обратить внимание на то, что любой ток транзистора (например, или ) является функцией не одной, а двух переменных. Так, ток является функцией ток — функцией (В § 15.34 это положение будет учтено.)

В радиотехнике свойства транзистора иногда описывают еще так называемой проходной характеристикой (рис. 15.21, в). Ее используют, например, когда ток имеет форму косинусоидальных импульсов с отсечкой (в резонансных усилителях мощности, умножителях частоты и других устройствах). Формулы разложения тока на гармоники в этом случае приведены в 16 п. вопросов гл. 7 (S — крутизна характеристики).