ТОНКАЯ МАГНИТНАЯ ПЛЕНКА

— слой ферромагнитного вещества, по толщине которого располагается только один домен В вычисл. технике наибольшее распространение для построения запоминающих элементов (ЗЭ) получили тонкие пленки магнитные с одноосевой анизотропией толщиной . Для хранения информации используется свойство Т. м. п. сохранять направление вектора намагниченности в одном из двух устойчивых положений вдоль оси легкого намагничивания (ОЛН) в плоскости пленки; одно из этих положений отождествляется со значением «1», другое — со значением Запись информации или изменение направления намагниченности происходит или при приложении магн. поля вдоль ОЛН процессами смещения границ или под углом к ней процессами когерентного вращения. Считывание информации в большинстве слуяаев

осуществляется наложением поля перпендикулярно ОЛН. При повороте вектора намагниченности пленки, в шине считывания, перпендикулярной ОЛН, наводится эдс различной полярности — в зависимости от начального направления намагниченности, т. е. в зависимости от ранее записанной информации.

Т. м. п. чаще всего изготовляют напылением ферромагнетика в вакууме и электролитическим осаждением. Ось анизотропии Т. м. п. создают наложением магн. поля параллельно ее поверхности в процессе изготовления пленки. Применяют пленки плоские и цилиндрические, с изоляционной и проводящзй подложкой. Матрицы тонкопленочных ЗЭ изготовляют в виде сплошной пленки Или отдельных пятен, обычно круглой или прнмоугольной формы. В первом случае форма и размеры ЗЭ определяются конфигурацией управляющих шин.

ЗЭ на Т. м. п. отличаются большой скоростью переключения. (единицы нсек) благодаря перемагничиванию за счет процесса вращения вектора намагниченности. Т. м. п. работают в широком диапазоне температур (100— 200° С). Эти достоинства наряду с применением методов технологии изготовления интегральных ЗЭ на Т., м. п. и управляющих шин делают применение Т. м. п. перспективным для построения сверхоперативных и оперативных вапоминлющих устройств. Известны запоминающие устройства с использованием Т. м. п. в качестве ЗЭ объемом от тысяч до нескольких миллионов бит с рабочим циклом 200—500 нсек и менее.

Лит.: Китович В. В. Оперативные запоминающие устройства на ферритовых сердечниках и тонких магнитных пленках. М.- Л., 1965 [библиогр. с. 233— 236]; Крайзмер Л. П. Устройства хранения дискретной информации. Л., 1969 [библиогр. с. 288— 309]; Запоминающие устройства современных ЭЦВМ. Пер. с англ. М.. 1968. Ф. Н. Зыков.